LED隧道燈散熱結(jié)構(gòu)設計及芯片制作流程

日期：2015-07-28 來源：motorcyclearchaeology.com

        傳統(tǒng)隧道燈在隧道照明中使用了很長一段時間，近些年隨著LED的發(fā)展及人們對環(huán)保與節(jié)能的認知，LED隧道燈在隧道照明中的使用在逐漸增多，其散熱結(jié)構(gòu)設計及芯片制作流程目前也形成了一定的技術規(guī)范。

       LED隧道燈散熱結(jié)構(gòu)設計：

       熱源主要來自兩部分：光源和電源。光源部分的熱量，通常要注意光源PCB與散熱器的貼合面間的有效接觸面積，有效接觸面積越大，散熱性越好。此外，要注意不同介質(zhì)間熱傳導界面盡可能光滑；熱傳導物之間貼合要足夠緊密，嵌合件之件的接觸面空隙要盡可能小而少。

      自然對流散熱，同樣要求有效換熱面積，因此一般情況下，散熱體外壁適當粗糙化可增大有效換熱面積；另外，在噴涂不同色漆時要考慮噴涂厚度和該類色漆的導熱性能和輻射性能的好壞。一般為了增大散熱器的換熱面積，我們采用鰭片結(jié)構(gòu)。
     
      另外電源部分的發(fā)熱，其內(nèi)部一般采取使用導熱灌封膠或者導熱泥等介質(zhì)對電源進行散熱處理。對于功率較大的，可利用電源的安裝部件進行輔助散熱。外置電源比安裝在腔體內(nèi)更利于電源的散熱。

       LED隧道燈芯片制作流程：

       芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。

       一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結(jié)束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據(jù)半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。